金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，深圳长晶微电子有限公司申请一项名为“非对称的半导体放电管芯片及其制作方法”的专利，公开号CN120529601A，申请日期为2025年07月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种非对称的半导体放电管芯片，其包括基板、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、多个第五掺杂区、多个第六掺杂区、第一电极及第二电极。本发明还公开了一种非对称的半导体放电管芯片的制作方法。发明的非对称的半导体放电管芯片在第一掺杂区内形成深度从两侧到中间依次减小的多个第五掺杂区，在第二掺杂区内形成宽度从两侧到中间依次增大的多个第六掺杂区，使芯片形成NPN‑PNP双三极管，不仅能满足正极到负极的低压快速导通，还能满足负极到正极的高压快速放电，从而实现正向、负向过压不同保护阈值的双向保护功能。本发明还具有结构简单、制备工艺环保，且保护性能稳定可靠等特点。

　　天眼查资料显示，深圳长晶微电子有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳长晶微电子有限公司财产线条，此外企业还拥有行政许可2个。